Current-induced domain-wall switching in a ferromagnetic semiconductor structure.

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第一作者： M,Yamanouchi

第一单位： Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan.

作者： M,Yamanouchi ^[1] ; D,Chiba ; F,Matsukura ; H,Ohno

作者单位： Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan. ^[1]

DOI 10.1038/nature02441

PMID 15057826

发布时间 2004-04-01

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Nature

2004年428卷6982期

539-42页

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