换一批摘要背景:背根神经节电穿孔技术是一种研究神经再生的高效基因转染方法,以往背根神经节电穿孔的电压条件使得标记的神经元及轴突数目较少,统计误差较高.目的:提高神经元及其轴突的标记率,为周围神经再生的研究提供理论依据.方法:以增强型绿色荧光蛋白为观察指标优化背根神经节电穿孔技术在神经元轴突再生方面的应用.将ICR小鼠随机分为2组,分别行背根神经节电穿孔手术,检测在35 V和60 V电压干预下神经元及其轴突的标记率.结果与结论:①35 V和60 V电压未造成神经元明显死亡;②与35 V电压相比,60 V电压条件下标记的神经元及其轴突数量显著增加,且通过损伤部位的轴突数量明显增多(P<0.05);③60 V电压对实验动物未造成行为功能损害;④结果表明,60 V电压能够使神经元及其轴突的标记率增高,其结果能够为周围神经元轴突再生研究提供依据.
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DOI
10.3969/j.issn.2095-4344.2072
发布时间
2020-04-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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