换一批基于Geant 4程序模拟质子打薄靶能量和角度歧离
Geant4-based Simulation of the Energy and Angle Straggling of Proton on Thin Films
摘要目的 讨论能量歧离和角度歧离与入射质子能量、靶材料及厚度的关系.方法 利用Monte Carlo模拟软件Geant4,模拟100 keV～ 10 MeV质子垂直入射铍(Be)、碳(C)、水(H2O)、铝(Al)、铜(Cu)薄膜后的能量歧离值和角度歧离值.结果 得到能量歧离和角度歧离与薄膜厚度、薄膜材料及入射质子能量的关系.结论 能量歧离主要发生在入射质子100 keV～ 200 keV能量范围内,当薄膜厚度越大且薄膜材料原子序数越高时,能量歧离和角度歧离越大;当入射质子能量越大时,能量歧离和角度歧离越小.
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