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心血管植入式电子装置导线相关静脉血栓形成的危险因素分析:112例报告

Risk factors for venous thrombosis related to the lead of cardiovascular implan-table electronic device: an analysis of 112 cases

摘要:

目的 研究心血管植入式电子装置(CIED)导线相关静脉血栓形成的相关危险因素,为临床预防提供理论依据.方法 选取2013年9月至2015年12月解放军总医院心血管内科使用CIED且随访资料完整的住院患者112例,根据术后血管超声检查结果进行分组,血栓组56例,年龄(71.86±8.35)岁;非血栓组56例,年龄(71.23±10.62)岁,运用多因素logistic回归分析对CIED导线相关静脉血栓形成的危险因素进行分析.结果 两组房颤患者数、植入除颤导线患者数、服用抗凝药物患者数和左室射血分数、全血糖化血红蛋白水平以及手术中静脉穿刺次数、手术时间、导线数量相比较,差异均有统计学意义(P<0.05).多因素logistic回归分析表明,房颤、术中静脉穿刺次数、手术时间及导线数量是CIED导线相关静脉血栓形成的危险因素,服用抗凝药物是保护因素.结论 房颤、静脉穿刺次数、手术时间及导线数量是CIED导线相关静脉血栓形成的独立危险因素.

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