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首页> Nanoscale> Analytical electron tomography mapping of the SiC pore oxidation at the nanoscale.

Analytical electron tomography mapping of the SiC pore oxidation at the nanoscale.

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第一作者： Ileana,Florea
第一单位： Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Strasbourg, CNRS-Université de Strasbourg (UDS) UMR 7504, 23, rue du Loess, BP 43, 67037, Strasbourg cedex 02, France.
作者： Ileana,Florea [1] ; Ovidiu,Ersen ; Charles,Hirlimann ; Lucian,Roiban ; Adrien,Deneuve ; Matthieu,Houllé ; Izabela,Janowska ; Patrick,Nguyen ; Charlotte,Pham ; Cuong,Pham-Huu
作者单位： Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Strasbourg, CNRS-Université de Strasbourg (UDS) UMR 7504, 23, rue du Loess, BP 43, 67037, Strasbourg cedex 02, France. [1]
医学主题词 碳化合物, 无机(Carbon Compounds, Inorganic);催化作用(Catalysis);纳米粒子(Nanoparticles);纳米技术(Nanotechnology);氧化还原(Oxidation-Reduction);光电子光谱法(Photoelectron Spectroscopy);多孔性(Porosity);硅化合物(Silicon Compounds)
DOI 10.1039/c0nr00449a
PMID 20938516
发布时间 2012-11-15
提交
  • 浏览28
Nanoscale

Nanoscale

2010年2卷12期

2668-78页

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