换一批Comment on "Metal Semiconductor Field-Effect Transistor with MoS₂/Conducting NiOx van der Waals Schottky Interface for Intrinsic High Mobility and Photoswitching Speed".
第一作者：
Zhenyu,Yang
第一单位：
Department of Physics and Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education, Wuhan University , Wuhan 430072, China.
作者：
DOI
10.1021/acsnano.5b07083
PMID
26844951
发布时间
2016-02-23
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ACS nano
1714-5页
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