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首页> ACS applied materials & interfaces> Enhanced Thermionic Emission and Low 1/f Noise in Exfoliated Graphene/GaN Schottky Barrier Diode.

Enhanced Thermionic Emission and Low 1/f Noise in Exfoliated Graphene/GaN Schottky Barrier Diode.

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第一作者： Ashutosh,Kumar
第一单位： Department of Physics, Indian Institute of Science , Bangalore, Karnataka 560012, India.
作者： Ashutosh,Kumar [1] ; Ranjit,Kashid [1] ; Arindam,Ghosh ; Vikram,Kumar ; Rajendra,Singh
作者单位： Department of Physics, Indian Institute of Science , Bangalore, Karnataka 560012, India. [1]
关键词 GaNSchottky barrier diodescurrent?voltage characteristicsgraphene?semiconductor interfaceinhomogeneous Schottky barrierlow-frequency noise
DOI 10.1021/acsami.5b12393
PMID 26963627
发布时间 2016-03-30
提交
  • 浏览41
ACS applied materials & interfaces

ACS applied materials & interfaces

2016年8卷12期

8213-23页

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