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首页> Chemical Society reviews> Development of metal-free layered semiconductors for 2D organic field-effect transistors.

Development of metal-free layered semiconductors for 2D organic field-effect transistors.

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第一作者： David,Burmeister
第一单位： Institut für Chemie, Humboldt-Universität zu Berlin, Brook-Taylor-Str. 2, 12489 Berlin, Germany. m.j.bojdys.02@cantab.net.;Integrative Research Institute for the Sciences Adlershof, Humboldt-Universität zu Berlin, Zum Großen Windkanal 2, 12489 Berlin, Germany.
作者： David,Burmeister [1] ; Matthias G,Trunk [1] ; Michael J,Bojdys [2]
作者单位： Institut für Chemie, Humboldt-Universität zu Berlin, Brook-Taylor-Str. 2, 12489 Berlin, Germany. m.j.bojdys.02@cantab.net.;Integrative Research Institute for the Sciences Adlershof, Humboldt-Universität zu Berlin, Zum Großen Windkanal 2, 12489 Berlin, Germany. [1] Institut für Chemie, Humboldt-Universität zu Berlin, Brook-Taylor-Str. 2, 12489 Berlin, Germany. m.j.bojdys.02@cantab.net.;Integrative Research Institute for the Sciences Adlershof, Humboldt-Universität zu Berlin, Zum Großen Windkanal 2, 12489 Berlin, Germany.;Department of Chemistry, King's College London, Britannia House Guy's Campus, 7 Trinity Street, London, SE1 1DB, UK. [2]
DOI 10.1039/d1cs00497b
PMID 34661213
发布时间 2023-11-07
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Chemical Society reviews

Chemical Society reviews

2021年50卷20期

11559-11576页

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