换一批半导体激光对药物性牙龈增生和牙周基础治疗总疗效及改善牙龈增生效果分析
Analysis of the Total Efficacy of Semiconductor Laser on Drug-Induced Gingival Hyperplasia and Periodontal Basic Treatment and the Improvement of Gingival Hyperplasia
摘要目的:研究药物性牙龈增生使用半导体激光、牙周基础治疗的总疗效及改善牙龈增生效果.方法:选择60例药物性牙龈增生患者进行数据研究,抽签分组,每组30例,研究组使用半导体激光、牙周基础治疗,对照组使用牙周基础治疗,对比组间差异.结果:比较对照组,研究组不同时期的牙龈增生指数均明显更低,在治疗后,明显下降SBI、PD、PLI,总有效率明显更高,P<0.05;对比两组治疗前的SBI、PD、PLI,P>0.05.结论:药物性牙龈增生使用半导体激光、牙周基础治疗的总疗效及改善牙龈增生效果均理想.
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关键词
半导体激光药物性牙龈增生牙周基础治疗总疗效改善牙龈增生效果semiconductor laserdrug-induced gingival hyperplasiaperiodontal basic treatmenttotal efficacyimprovement of gingival hyperplasia
分类号
R781.4（口腔内科学）
栏目名称
DOI
10.3969/j.issn.1006-6586.2024.16.026
发布时间
2024-09-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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