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项目年度编号
0400250247
成果公布年份
2001
成果简介
该项目主要成果有：研制出高质量808nm大功率半导体激光器材料：波长(808.7±3)nm，阈值电流密度300-400A/cm<'2>，2英寸材料生长均匀性比较好，具备提供小批量激光器单管所需材料的能力；研制出高质量808nm大功率半导体激光器单管：室温连续工作，波长(808.7±3)nm，1W工作寿命超过3000小时，1.5W工作寿命超过2000小时；研制出高质量808nm大功率半导体激光器阵列：室温准连续工作，波长(808.7±5)nm，15W工作寿命超过1000小时；研制出高质量In(Ga)As/GaAs量子点激光器：室温连续工作，波长(960±3)nm，阈值电流密度220A/cm<'2>，单面最大输出功率1.8W，0.6W工作寿命超过3000小时，已被用于制做室温连续输出功率超过10W的大功率量子点激光器光纤耦合模块，部分成果达到国际领先水平。
完成单位
中国科学院半导体研究所
完成人
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