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首页 > 第十二届全国电子显微学会议 > 掺P、B对纳米Zn-O薄膜电学特性的影响

掺P、B对纳米Zn-O薄膜电学特性的影响

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 学术成果认领
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摘要本文利用扫描俄歇探针等手段研究分析了掺P、B随热处理温度的变化对纳米Zn-O薄膜电学特性的影响.结果证实了掺P、B对纳米ZnO薄膜提高导电性是有效的.

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作者 王文青 学术成果认领
作者单位
中国兵器工业第五二研究所(内蒙古包头)
关键词 膜材料纳米Zn-O薄膜电学特性扫描俄歇探针硼掺杂磷掺杂
医学主题词 电学(Electricity)膜(Membranes)硼(Boron)磷(Phosphorus)研究(Research)
母体文献
电子显微学报第21卷第5期
会议名称
第十二届全国电子显微学会议 太原 2002年
主办单位
中国物理学会
分类号 TB383TN304.055
发布时间 2004-04-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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