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首页> Physical review letters> Large magnetoresistance effect due to spin injection into a nonmagnetic semiconductor.

Large magnetoresistance effect due to spin injection into a nonmagnetic semiconductor.

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第一作者： G,Schmidt
第一单位： Physikalisches Institut, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany.
作者： G,Schmidt [1] ; G,Richter ; P,Grabs ; C,Gould ; D,Ferrand ; L W,Molenkamp
作者单位： Physikalisches Institut, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany. [1]
DOI 10.1103/PhysRevLett.87.227203
PMID 11736423
发布时间 2003-10-31
提交
  • 浏览18
Physical review letters

Physical review letters

2001年87卷22期

227203页

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