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首页> Physical review letters> Voltage-controlled spin selection in a magnetic resonant tunneling diode.

Voltage-controlled spin selection in a magnetic resonant tunneling diode.

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第一作者： A,Slobodskyy
第一单位： Physikalisches Institut (EP3), Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg, Germany.
作者： A,Slobodskyy [1] ; C,Gould ; T,Slobodskyy ; C R,Becker ; G,Schmidt ; L W,Molenkamp
作者单位： Physikalisches Institut (EP3), Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg, Germany. [1]
DOI 10.1103/PhysRevLett.90.246601
PMID 12857209
发布时间 2003-07-14
提交
  • 浏览8
Physical review letters

Physical review letters

2003年90卷24期

246601页

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