换一批
换一批Onset temperature for Si nanostructure growth on Si substrate during high vacuum electron beam annealing.
第一作者：
F,Fang
第一单位：
National Isotope Centre, GNS Science, Lower Hutt 5040, New Zealand.
作者：
DOI
10.1166/jnn.2009.210
PMID
19452954
发布时间
2019-07-15
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