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首页> International journal of molecular sciences> Lattice strain due to an atomic vacancy.

Lattice strain due to an atomic vacancy.

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第一作者： Shidong,Li
第一单位： Electronic Packaging Laboratory, University at Buffalo, The State University of New York 14260-4300, USA.
作者： Shidong,Li [1] ; Michael S,Sellers [2] ; Cemal,Basaran [1] ; Andrew J,Schultz [2] ; David A,Kofke [2]
作者单位： Electronic Packaging Laboratory, University at Buffalo, The State University of New York 14260-4300, USA. [1] Department of Chemical Engineering, University at Buffalo, The State University of New York, USA. [2]
关键词 electromigrationembedded-atom methodlattice strainmolecular dynamic simulationsthermomigrationvacancy transportvirial stress
医学主题词 铝(Aluminum);金属(Metals);分子动力学模拟(Molecular Dynamics Simulation)
DOI 10.3390/ijms10062798
PMID 19582230
发布时间 2022-09-22
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  • 浏览88
International journal of molecular sciences

International journal of molecular sciences

2009年10卷6期

2798-2808页

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