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    首页> Nanoscale research letters> A New Method for Lift-off of III-Nitride Semiconductors for Heterogeneous Integration.

    A New Method for Lift-off of III-Nitride Semiconductors for Heterogeneous Integration.

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    作者： Keyan,Zang [1] ; Davywc,Cheong ; Hongfei,Liu ; Hong,Liu ; Jinghua,Teng ; Soojin,Chua
    作者单位： Institute of Materials Research and Engineering, Agency for Science, Technology and Research (A*STAR), 3 Research Link, Singapore, 117602, Singapore. ky-zang@imre.a-star.edu.sg. [1]
    关键词 III-nitride semiconductorLift offNanorod
    DOI 10.1007/s11671-010-9601-6
    PMID 20672057
    发布时间 2021-10-20
    提交
    • 浏览12
    Nanoscale research letters

    Nanoscale research letters

    2010年5卷6期

    1051-6页

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