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    首页> Nanoscale research letters> InGaAs Quantum Well Grown on High-Index Surfaces for Superluminescent Diode Applications.

    InGaAs Quantum Well Grown on High-Index Surfaces for Superluminescent Diode Applications.

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    第一作者： Zhenhua,Li
    第一单位： Department of Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR, 72701, USA. jxw009@uark.edu.
    作者： Zhenhua,Li [1] ; Jiang,Wu ; Zhiming M,Wang ; Dongsheng,Fan ; Aqiang,Guo ; Shibing,Li ; Shui-Qing,Yu ; Omar,Manasreh ; Gregory J,Salamo
    作者单位： Department of Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR, 72701, USA. jxw009@uark.edu. [1]
    关键词 Atomic force microscopyHigh-index surfacesPhotoluminescenceQuantum wellSuperluminescent diode
    DOI 10.1007/s11671-010-9605-2
    PMID 20672090
    发布时间 2021-10-20
    提交
    • 浏览8
    Nanoscale research letters

    Nanoscale research letters

    2010年5卷6期

    1079-84页

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