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    首页> Nanoscale research letters> Multilayers of InGaAs Nanostructures Grown on GaAs(210) Substrates.

    Multilayers of InGaAs Nanostructures Grown on GaAs(210) Substrates.

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    作者： Zhiming M,Wang [1] ; Yanze Z,Xie ; Vasyl P,Kunets ; Vitaliy G,Dorogan ; Yuriy I,Mazur ; Gregory J,Salamo
    作者单位： Arkansas Institute for Nanoscale Materials Science and Engineering, University of Arkanssas, Fayetteville, AR, 72701, USA. ymazur@uark.edu. [1]
    关键词 GaAs(210)InGaAs nanostructuresLateral orderingMolecular beam epitaxy
    DOI 10.1007/s11671-010-9645-7
    PMID 20676193
    发布时间 2021-10-20
    提交
    • 浏览20
    Nanoscale research letters

    Nanoscale research letters

    2010年5卷8期

    1320-3页

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