换一批
换一批Origins of hole doping and relevant optoelectronic properties of wide gap p-type semiconductor, LaCuOSe.
第一作者：
Hidenori,Hiramatsu
第一单位：
Frontier Research Center, S2-6F East, Mailbox S2-13, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan. h-hirama@lucid.msl.titech.ac.jp
作者：
DOI
10.1021/ja107042r
PMID
20925406
发布时间
2010-10-21
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