换一批
换一批Naphthalenetetracarboxylic diimide layer-based transistors with nanometer oxide and side chain dielectrics operating below one volt.
第一作者：
Byung Jun,Jung
第一单位：
Department of Materials Science and Engineering, The Johns Hopkins University , 3400 North Charles Street, Baltimore, Maryland 21218, USA.
作者：
DOI
10.1021/nn103115h
PMID
21351783
发布时间
2011-04-26
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