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首页> Physical review letters> Photoinduced Barkhausen effect in the ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As.

Photoinduced Barkhausen effect in the ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As.

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第一作者： G V,Astakhov
第一单位： Physikalisches Institut, EP3, Universität Würzburg, 97074 Würzburg, Germany. astakhov@physik.uni-wuerzburg.de
作者： G V,Astakhov [1] ; J,Schwittek ; G M,Schott ; C,Gould ; W,Ossau ; K,Brunner ; L W,Molenkamp
作者单位： Physikalisches Institut, EP3, Universität Würzburg, 97074 Würzburg, Germany. astakhov@physik.uni-wuerzburg.de [1]
DOI 10.1103/PhysRevLett.106.037204
PMID 21405292
发布时间 2011-03-16
提交
  • 浏览35
Physical review letters

Physical review letters

2011年106卷3期

037204页

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