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首页> Optics express> Light outcoupling effect in GaN light-emitting diodes via convex microstructures monolithically fabricated on sapphire substrate.

Light outcoupling effect in GaN light-emitting diodes via convex microstructures monolithically fabricated on sapphire substrate.

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第一作者： Tae Su,Oh
第一单位： School of Semiconductor & Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, South Korea.
作者： Tae Su,Oh [1] ; Hyun,Jeong ; Yong Seok,Lee ; Ah Hyun,Park ; Tae Hoon,Seo ; Hun,Kim ; Kang Jea,Lee ; Mun Seok,Jeong ; Eun-Kyung,Suh
作者单位： School of Semiconductor & Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, South Korea. [1]
DOI 10.1364/OE.19.009385
PMID 21643195
发布时间 2018-10-23
提交
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Optics express

Optics express

2011年19卷10期

9385-91页

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