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    首页> ACS nano> Flexible, low-voltage, and low-hysteresis PbSe nanowire field-effect transistors.

    Flexible, low-voltage, and low-hysteresis PbSe nanowire field-effect transistors.

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    作者： David K,Kim [1] ; Yuming,Lai ; Tarun R,Vemulkar ; Cherie R,Kagan
    作者单位： Department of Materials Science and Engineering, University of Pennsylvania, Philadelphia, Pennsylvania, United States. [1]
    主题词 弹性模量(Elastic Modulus);设备设计(Equipment Design);设备失效分析(Equipment Failure Analysis);铅(Lead);纳米结构(Nanostructures);非线性动力学(Nonlinear Dynamics);粒子大小(Particle Size);硒化合物(Selenium Compounds);晶体管, 电子(Transistors, Electronic)
    DOI 10.1021/nn203948x
    PMID 22084980
    发布时间 2013-11-21
    提交
    • 浏览36
    ACS nano

    ACS nano

    2011年5卷12期

    10074-83页

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