Deterministic conversion between memory and threshold resistive switching via tuning the strong electron correlation.
作者:
主题词
算法(Algorithms);化学现象(Chemical Phenomena);电极(Electrodes);电子学(Electronics);电子(Electrons);铟(Indium);镍(Nickel);氧(Oxygen);X射线吸收光谱(X-Ray Absorption Spectroscopy)
DOI
10.1038/srep00442
PMID
22679556
发布时间
2024-03-21
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