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    首页> ACS nano> Channel length scaling of MoS2 MOSFETs.

    Channel length scaling of MoS2 MOSFETs.

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    作者： Han,Liu [1] ; Adam T,Neal ; Peide D,Ye
    作者单位： School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47906, USA. [1]
    主题词 电子转运(Electron Transport);设备设计(Equipment Design);设备失效分析(Equipment Failure Analysis);钼(Molybdenum);纳米结构(Nanostructures);粒子大小(Particle Size);硅(Silicon);晶体管, 电子(Transistors, Electronic)
    DOI 10.1021/nn303513c
    PMID 22957650
    发布时间 2013-11-21
    提交
    • 浏览159
    ACS nano

    ACS nano

    2012年6卷10期

    8563-9页

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