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首页> Nanotechnology> Formation of Co/Ge intermixing layers after Co deposition on Ge(111)2 × 1 surfaces.

Formation of Co/Ge intermixing layers after Co deposition on Ge(111)2 × 1 surfaces.

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第一作者： D A,Muzychenko
第一单位： Faculty of Physics, Moscow State University, 119991 Moscow, Russia. mda@spmlab.ru
作者： D A,Muzychenko [1] ; K,Schouteden ; V I,Panov ; C,Van Haesendonck
作者单位： Faculty of Physics, Moscow State University, 119991 Moscow, Russia. mda@spmlab.ru [1]
DOI 10.1088/0957-4484/23/43/435605
PMID 23059653
发布时间 2012-10-12
提交
  • 浏览6
Nanotechnology

Nanotechnology

2012年23卷43期

435605页

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