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    首页> Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)> Van der Waals epitaxial double heterostructure: InAs/single-layer graphene/InAs.

    Van der Waals epitaxial double heterostructure: InAs/single-layer graphene/InAs.

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    作者： Young Joon,Hong [1] ; Jae Won,Yang ; Wi Hyoung,Lee ; Rodney S,Ruoff ; Kwang S,Kim ; Takashi,Fukui
    作者单位： Department of Nanotechnology and Advanced Materials Engineering Graphene Research Institute and Hybrid Materials Research Center, Sejong University, Seoul, 143-747, Korea; Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, Sapporo, 060-8628, Japan. [1]
    关键词 double heterostructuresgrapheneindium arsenidemetal-organic vapor-phase epitaxyvan der Waals epitaxy
    主题词 砷剂(Arsenicals);结晶(Crystallization);石墨(Graphite);铟(Indium);纳米结构(Nanostructures);纳米线(Nanowires);粒子大小(Particle Size);静电(Static Electricity)
    DOI 10.1002/adma.201302312
    PMID 24115285
    发布时间 2020-09-30
    提交
    • 浏览76
    Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)

    Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)

    2013年25卷47期

    6847-53页

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