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首页> Nanotechnology> MBE-grown Si and Si(1-x)Ge(x) quantum dots embedded within epitaxial Gd2O3 on Si(111) substrate for floating gate memory device.

MBE-grown Si and Si(1-x)Ge(x) quantum dots embedded within epitaxial Gd2O3 on Si(111) substrate for floating gate memory device.

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第一作者： S,Manna
第一单位： Department of Physics and Meteorology, Indian Institute of Technology Kharagpur, Kharagpur-721302, India.
作者： S,Manna [1] ; R,Aluguri ; A,Katiyar ; S,Das ; A,Laha ; H J,Osten ; S K,Ray
作者单位： Department of Physics and Meteorology, Indian Institute of Technology Kharagpur, Kharagpur-721302, India. [1]
DOI 10.1088/0957-4484/24/50/505709
PMID 24284782
发布时间 2013-12-03
提交
  • 浏览8
Nanotechnology

Nanotechnology

2013年24卷50期

505709页

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