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Room-temperature sub-band gap optoelectronic response of hyperdoped silicon.

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作者单位: School of Engineering, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, Massachusetts 02139, USA. [1] Department of Physics, Applied Physics, and Astronomy, Rensselaer Polytechnic Institute, 110 8th Street, Troy, New York 12180, USA. [2] US Army ARDEC - Benét Laboratories, 1 Buffington Street, Watervliet, New York 12189, USA. [3] Harvard School of Engineering and Applied Sciences, 29 Oxford Street, Cambridge, Massachusetts 02138, USA. [4] 1] School of Engineering, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, Massachusetts 02139, USA [2]. [5] Research School of Physics and Engineering, The Australian National University, Mills Road, Canberra 0200, Australian Capital Territory, Australia. [6]
DOI 10.1038/ncomms4011
PMID 24385050
发布时间 2014-01-03
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