换一批Transferring MBE-grown topological insulator films to arbitrary substrates and metal-insulator transition via Dirac gap.
第一作者：
Namrata,Bansal
第一单位：
Department of Electrical and Computer Engineering, Rutgers, the State University of New Jersey , Piscataway, New Jersey 08854, United States.
作者：
DOI
10.1021/nl404363b
PMID
24576215
发布时间
2020-10-01
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Nano letters
1343-8页
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