N-doped graphene field-effect transistors with enhanced electron mobility and air-stability.

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作者： Wentao,Xu ^[1] ; Tae-Seok,Lim ; Hong-Kyu,Seo ; Sung-Yong,Min ; Himchan,Cho ; Min-Ho,Park ; Young-Hoon,Kim ; Tae-Woo,Lee

作者单位： Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang, Gyungbuk, 790-784, Republic of Korea. ^[1]

关键词 carrier mobility dirac point graphene field-effect transistor n-type doping

DOI 10.1002/smll.201303768

PMID 24616289

发布时间 2014-05-21

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Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)

2014年10卷10期

1999-2005页

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