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    首页> ACS applied materials & interfaces> Highly uniform resistive switching properties of amorphous InGaZnO thin films prepared by a low temperature photochemical solution deposition method.

    Highly uniform resistive switching properties of amorphous InGaZnO thin films prepared by a low temperature photochemical solution deposition method.

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    作者： Wei,Hu [1] ; Lilan,Zou ; Xinman,Chen ; Ni,Qin ; Shuwei,Li ; Dinghua,Bao
    作者单位： State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-Sen University , Guangzhou, Guangdong 510275, China. [1]
    DOI 10.1021/am500048y
    PMID 24635893
    发布时间 2014-04-09
    提交
    • 浏览192
    ACS applied materials & interfaces

    ACS applied materials & interfaces

    2014年6卷7期

    5012-7页

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