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    首页> ACS applied materials & interfaces> Interface recombination current in type II heterostructure bipolar diodes.

    Interface recombination current in type II heterostructure bipolar diodes.

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    第一作者： Marius,Grundmann
    第一单位： Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig , Linnéstrasse 5, 04103 Leipzig, Germany.
    作者： Marius,Grundmann [1] ; Robert,Karsthof ; Holger,von Wenckstern
    作者单位： Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig , Linnéstrasse 5, 04103 Leipzig, Germany. [1]
    关键词 diodeheterostructureideality factorinterface recombinationtraptype II band lineup
    DOI 10.1021/am504454g
    PMID 25136986
    发布时间 2014-09-10
    提交
    • 浏览16
    ACS applied materials & interfaces

    ACS applied materials & interfaces

    2014年6卷17期

    14785-9页

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