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    首页> Journal of medical physics> Characteristics of mobile MOSFET dosimetry system for megavoltage photon beams.

    Characteristics of mobile MOSFET dosimetry system for megavoltage photon beams.

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    第一作者： A Sathish,Kumar
    第一单位： Department of Radiotherapy, Christian Medical College, Vellore, Tamil Nadu, India.
    作者： A Sathish,Kumar [1] ; S D,Sharma [2] ; B Paul,Ravindran [1]
    作者单位： Department of Radiotherapy, Christian Medical College, Vellore, Tamil Nadu, India. [1] Radiological Physics and Advisory Division, Bhabha Atomic Research Centre, CTCRS Building, Anushaktinagar, Mumbai, India. [2]
    关键词 Angular dependencebuild-updose ratedosimetryfield size dependencelinearitymetal oxide semiconductor field effect transistorthreshold voltage
    DOI 10.4103/0971-6203.139002
    PMID 25190992
    发布时间 2021-10-21
    提交
    • 浏览19
    Journal of medical physics

    Journal of medical physics

    2014年39卷3期

    142-9页

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