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Evidence of type-II band alignment in III-nitride semiconductors: experimental and theoretical investigation for In 0.17 Al 0.83 N/GaN heterostructures.

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作者: Jiaming,Wang [1] ; Fujun,Xu [1] ; Xia,Zhang [1] ; Wei,An [1] ; Xin-Zheng,Li [2] ; Jie,Song [1] ; Weikun,Ge [3] ; Guangshan,Tian [1] ; Jing,Lu [1] ; Xinqiang,Wang [2] ; Ning,Tang [1] ; Zhijian,Yang [1] ; Wei,Li [4] ; Weiying,Wang [4] ; Peng,Jin [4] ; Yonghai,Chen [4] ; Bo,Shen [2]
作者单位: State Key Laboratory of Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China. [1] 1] State Key Laboratory of Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China [2] Collaboration Innovation Center of Quantum Matter, Beijing 100084, China. [2] 1] State Key Laboratory of Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China [2] Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China. [3] Key Laboratory of Semiconductor Materials Science and Beijing Key Laboratory of Low-dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China. [4]
DOI 10.1038/srep06521
PMID 25283334
发布时间 2021-10-21
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