Valence band splitting in wurtzite InGaAs nanoneedles studied by photoluminescence excitation spectroscopy.

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第一作者： Xiaodong,Wang

第一单位： Walter Schottky Institut & Physik Department, Technische Universität München , D-85748 Garching, Germany.

作者： Xiaodong,Wang ^[1] ; Ilaria,Zardo ; Danče,Spirkoska ; Sara,Yazji ; Kar Wei,Ng ; Wai Son,Ko ; Connie J,Chang-Hasnain ; Jonathan J,Finley ; Gerhard,Abstreiter

作者单位： Walter Schottky Institut & Physik Department, Technische Universität München , D-85748 Garching, Germany. ^[1]

关键词 InGaAs nanoneedle Raman spectroscopy band structure photoluminescence excitation spectroscopy wurtzite

DOI 10.1021/nn504512u

PMID 25363377

发布时间 2014-11-25

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ACS nano

2014年8卷11期

11440-6页

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