换一批
换一批Significantly improved luminescence properties of nitrogen-polar (0001̅) InGaN multiple quantum wells grown by pulsed metalorganic chemical vapor deposition.
第一作者：
Jie,Song
第一单位：
Department of Electrical Engineering, Yale University , New Haven, Connecticut 06520, United States.
作者：
DOI
10.1021/am506162z
PMID
25494953
发布时间
2015-01-14
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