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    首页> ACS nano> Low temperature critical growth of high quality nitrogen doped graphene on dielectrics by plasma-enhanced chemical vapor deposition.

    Low temperature critical growth of high quality nitrogen doped graphene on dielectrics by plasma-enhanced chemical vapor deposition.

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    第一作者： Dacheng,Wei
    第一单位： Department of Macromolecular Science, Fudan University , Shanghai 200433, China.
    作者： Dacheng,Wei [1] ; Lan,Peng ; Menglin,Li ; Hongying,Mao ; Tianchao,Niu ; Cheng,Han ; Wei,Chen ; Andrew Thye Shen,Wee
    作者单位： Department of Macromolecular Science, Fudan University , Shanghai 200433, China. [1]
    关键词 chemical vapor depositiondopinggraphenenanomaterialsscanning probe microscopy
    DOI 10.1021/nn505214f
    PMID 25581685
    发布时间 2015-01-27
    提交
    • 浏览126
    ACS nano

    ACS nano

    2015年9卷1期

    164-71页

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