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首页> Nanoscale research letters> Investigation of LRS dependence on the retention of HRS in CBRAM.

Investigation of LRS dependence on the retention of HRS in CBRAM.

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第一作者： Xiaoxin,Xu
第一单位： Laboratory of Nano-Fabrication and Novel Devices Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, #3 Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing, 100029 China.
作者： Xiaoxin,Xu [1] ; Hangbing,Lv [1] ; Hongtao,Liu [1] ; Qing,Luo [1] ; Tiancheng,Gong [1] ; Ming,Wang [1] ; Guoming,Wang [1] ; Meiyun,Zhang [1] ; Yang,Li [1] ; Qi,Liu [1] ; Shibing,Long [1] ; Ming,Liu [1]
作者单位： Laboratory of Nano-Fabrication and Novel Devices Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, #3 Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing, 100029 China. [1]
关键词 High resistance state (HRS)Quantum point contact (QPC) modelResistive random access memory (RRAM)Retention
DOI 10.1186/s11671-015-0771-0
PMID 25852358
发布时间 2024-03-22
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  • 浏览58
Nanoscale research letters

Nanoscale research letters

2015年10卷

61页

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