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首页> ACS nano> Electronic Transport Properties of Epitaxial Si/SiGe Heterostructures Grown on Single-Crystal SiGe Nanomembranes.

Electronic Transport Properties of Epitaxial Si/SiGe Heterostructures Grown on Single-Crystal SiGe Nanomembranes.

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第一作者： Yize Stephanie,Li
第一单位： University of Wisconsin-Madison, Madison, Wisconsin 53706, United States.
作者： Yize Stephanie,Li [1] ; Pornsatit,Sookchoo [1] ; Xiaorui,Cui [1] ; Robert,Mohr [1] ; Donald E,Savage [1] ; Ryan H,Foote [1] ; R B,Jacobson [1] ; José R,Sánchez-Pérez [1] ; Deborah M,Paskiewicz [1] ; Xian,Wu [1] ; Dan R,Ward [1] ; Susan N,Coppersmith [1] ; Mark A,Eriksson [1] ; Max G,Lagally [1]
作者单位： University of Wisconsin-Madison, Madison, Wisconsin 53706, United States. [1]
关键词 Shubnikov-de Haas oscillationsSi quantum wellSiGe nanomembranemobilityquantum Hall effecttwo-dimensional electron gas
DOI 10.1021/nn506475z
PMID 25932940
发布时间 2015-05-26
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ACS nano

ACS nano

2015年9卷5期

4891-9页

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