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首页> Optics letters> High-performance infrared light trapping in nano-needle structured p⁺ SnOx (x  ≤  1)/thin film n-Ge photodiodes on Si.

High-performance infrared light trapping in nano-needle structured p⁺ SnOx (x  ≤  1)/thin film n-Ge photodiodes on Si.

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第一作者： Xiaoxin,Wang
作者： Xiaoxin,Wang ; Andrew,Wong ; Stephanie,Malek ; Yan,Cai ; Jifeng,Liu
DOI 10.1364/OL.40.002603
PMID 26030568
发布时间 2018-10-23
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Optics letters

Optics letters

2015年40卷11期

2603-6页

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