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Strain and Hole Gas Induced Raman Shifts in Ge-Si(x)Ge(1-x) Core-Shell Nanowires Using Tip-Enhanced Raman Spectroscopy.

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第一作者： Zhongjian,Zhang

第一单位： Microelectronics Research Center, University of Texas, 10100 Burnet Rd, Building 160, Austin, Texas 78758, United States.

作者： Zhongjian,Zhang ^[1] ; David C,Dillen ^[1] ; Emanuel,Tutuc ^[1] ; Edward T,Yu ^[1]

作者单位： Microelectronics Research Center, University of Texas, 10100 Burnet Rd, Building 160, Austin, Texas 78758, United States. ^[1]

关键词 Raman spectroscopy Tip-enhanced Raman scattering atomic force microscopy core?shell germanium heterostructure nanowire optical near-field spectroscopy silicon?germanium strain

DOI 10.1021/acs.nanolett.5b00176

PMID 26053999

发布时间 2020-09-30

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Nano letters

Nano letters

2015年15卷7期

4303-10页

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