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首页> ACS nano> Pressure-Modulated Conductivity, Carrier Density, and Mobility of Multilayered Tungsten Disulfide.

Pressure-Modulated Conductivity, Carrier Density, and Mobility of Multilayered Tungsten Disulfide.

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第一作者： Avinash P,Nayak
第一单位： Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Collaborative Innovation Center of Quantum Matt , Beijing 100190, China.
作者： Avinash P,Nayak [1] ; Zhen,Yuan [2] ; Boxiao,Cao [3] ; Jin,Liu [2] ; Junjie,Wu [1] ; Samuel T,Moran [3] ; Tianshu,Li ; Deji,Akinwande ; Changqing,Jin ; Jung-Fu,Lin
作者单位： Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Collaborative Innovation Center of Quantum Matt , Beijing 100190, China. [1] Department of Civil and Environmental Engineering, Computational Materials Science Group, George Washington University , 20052, Washington, D.C., United States. [2] Center for High Pressure Science and Advanced Technology Research (HPSTAR) , Shanghai 201900, China. [3]
关键词 2D materialsdiamond anvil cellpressure engineeringstraintransition metal dichalcogenides
DOI 10.1021/acsnano.5b03295
PMID 26258661
发布时间 2015-09-22
提交
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ACS nano

ACS nano

2015年9卷9期

9117-23页

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