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首页> ACS applied materials & interfaces> Effect of the Thermal Conductivity on Resistive Switching in GeTe and Ge2Sb2Te5 Nanowires.

Effect of the Thermal Conductivity on Resistive Switching in GeTe and Ge2Sb2Te5 Nanowires.

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第一作者： Sungjin,Park
第一单位： Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University , Seoul, 120-749 Korea.
作者： Sungjin,Park [1] ; Dambi,Park [1] ; Kwangsik,Jeong [1] ; Taeok,Kim [1] ; SeungJong,Park [1] ; Min,Ahn [1] ; Won Jun,Yang [1] ; Jeong Hwa,Han [1] ; Hong Sik,Jeong [2] ; Seong Gi,Jeon [3] ; Jae Yong,Song [4] ; Mann-Ho,Cho [1]
作者单位： Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University , Seoul, 120-749 Korea. [1] School of Integrated Technology, Yonsei University , Incheon, 406-840 Korea. [2] Department of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology , Daejeon 305-701, Republic of Korea. [3] Korea Research Institute of Standards and Science , Daejeon 305-340, Republic of Korea. [4]
关键词 Ge2Sb2Te5GeTebipolar switching propertyphase-change memorythermal conductivity
DOI 10.1021/acsami.5b05703
PMID 26369988
发布时间 2015-10-07
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ACS applied materials & interfaces

ACS applied materials & interfaces

2015年7卷39期

21819-27页

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