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首页> ACS applied materials & interfaces> Chemical Gated Field Effect Transistor by Hybrid Integration of One-Dimensional Silicon Nanowire and Two-Dimensional Tin Oxide Thin Film for Low Power Gas Sensor.

Chemical Gated Field Effect Transistor by Hybrid Integration of One-Dimensional Silicon Nanowire and Two-Dimensional Tin Oxide Thin Film for Low Power Gas Sensor.

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第一作者： Jin-Woo,Han
第一单位： Center for Nanotechnology, NASA Ames Research Center , Moffett Field, California 94035, United States.
作者： Jin-Woo,Han [1] ; Taiuk,Rim [2] ; Chang-Ki,Baek [2] ; M,Meyyappan [1]
作者单位： Center for Nanotechnology, NASA Ames Research Center , Moffett Field, California 94035, United States. [1] Creative IT Engineering, Pohang University of Science and Technology , Pohang 790-784, South Korea. [2]
关键词 field effect transistorgas sensornanowirethin filmtin oxide
DOI 10.1021/acsami.5b05479
PMID 26381613
发布时间 2015-09-30
提交
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ACS applied materials & interfaces

ACS applied materials & interfaces

2015年7卷38期

21263-9页

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