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    首页> ACS nano> Quantized Conduction and High Mobility in Selectively Grown In(x)Ga(1-x)As Nanowires.

    Quantized Conduction and High Mobility in Selectively Grown In(x)Ga(1-x)As Nanowires.

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    第一作者： Cezar B,Zota
    第一单位： Department of Electrical and Information Technology and ‡Division of Solid State Physics, Lund University , Box 118, 22100 Lund, Sweden.
    作者： Cezar B,Zota [1] ; David,Lindgren [1] ; Lars-Erik,Wernersson [1] ; Erik,Lind [1]
    作者单位： Department of Electrical and Information Technology and ‡Division of Solid State Physics, Lund University , Box 118, 22100 Lund, Sweden. [1]
    关键词 InGaAsRamanballistic transportelectric transportfield-effect transistorsmobilitynanowirephotoluminescenceselective regrowth
    DOI 10.1021/acsnano.5b03318
    PMID 26387961
    发布时间 2015-10-27
    提交
    • 浏览14
    ACS nano

    ACS nano

    2015年9卷10期

    9892-7页

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