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Uncovering Two Competing Switching Mechanisms for Epitaxial and Ultrathin Strontium Titanate-Based Resistive Switching Bits.

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作者： Markus,Kubicek ^[1] ; Rafael,Schmitt ^[1] ; Felix,Messerschmitt ^[1] ; Jennifer L M,Rupp ^[1]

作者单位： Electrochemical Materials, ETH Zurich , Hönggerbergring 64, 8093 Zurich, Switzerland. ^[1]

关键词 dielectric properties epitaxial growth impedance spectroscopy resistive switching switching mechanism thin films

DOI 10.1021/acsnano.5b02752

PMID 26448096

发布时间 2015-11-24

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ACS nano

2015年9卷11期

10737-48页

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