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    首页> Nano letters> High Photoluminescence Quantum Yield in Band Gap Tunable Bromide Containing Mixed Halide Perovskites.

    High Photoluminescence Quantum Yield in Band Gap Tunable Bromide Containing Mixed Halide Perovskites.

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    作者： Carolin M,Sutter-Fella [1] ; Yanbo,Li [1] ; Matin,Amani [2] ; Joel W,Ager [1] ; Francesca M,Toma [1] ; Eli,Yablonovitch ; Ian D,Sharp ; Ali,Javey
    作者单位： Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California , Berkeley, California 94720, United States. [1] Materials Science and Engineering, University of California , Berkeley, California 94720, United States. [2]
    关键词 Halide perovskitequantum yieldtandem devicewide band gap semiconductor
    DOI 10.1021/acs.nanolett.5b04884
    PMID 26691065
    发布时间 2020-10-01
    提交
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    Nano letters

    Nano letters

    2016年16卷1期

    800-6页

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