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首页> Scientific reports> Controllable electrical and physical breakdown of poly-crystalline silicon nanowires by thermally assisted electromigration.

Controllable electrical and physical breakdown of poly-crystalline silicon nanowires by thermally assisted electromigration.

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第一作者： Jun-Young,Park
第一单位： School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Daejeon 34141, Republic of Korea.
作者： Jun-Young,Park [1] ; Dong-Il,Moon [1] ; Myeong-Lok,Seol [1] ; Chang-Hoon,Jeon [2] ; Gwang-Jae,Jeon [1] ; Jin-Woo,Han [3] ; Choong-Ki,Kim [1] ; Sang-Jae,Park [1] ; Hee Chul,Lee [1] ; Yang-Kyu,Choi [1]
作者单位： School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Daejeon 34141, Republic of Korea. [1] School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Daejeon 34141, Republic of Korea.;Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics, San #16 Banwol-Dong, Hwasung-City, Gyeonggi-Do 445-701, Republic of Korea. [2] Center for Nanotechnology, NASA Ames Research Center, Moffett Field, CA 94035, USA. [3]
DOI 10.1038/srep19314
PMID 26782708
发布时间 2018-11-13
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Scientific reports

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2016年6卷

19314页

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