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Novel Vertical 3D Structure of TaOx-based RRAM with Self-localized Switching Region by Sidewall Electrode Oxidation.

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作者： Muxi,Yu ^[1] ; Yimao,Cai ^[1] ; Zongwei,Wang ^[1] ; Yichen,Fang ^[1] ; Yefan,Liu ^[1] ; Zhizhen,Yu ^[1] ; Yue,Pan ^[1] ; Zhenxing,Zhang ^[1] ; Jing,Tan ^[1] ; Xue,Yang ^[1] ; Ming,Li ^[1] ; Ru,Huang ^[1]

作者单位： Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China. ^[1]

DOI 10.1038/srep21020

PMID 26884054

发布时间 2024-03-24

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Scientific reports

2016年6卷

21020页

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